- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 53/50 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 53/50
Brevets de cette classe: 2
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
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Total
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Cette classe
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| Micron Technology, Inc. | 24960 |
1 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |